하이닉스반도체, 중장기 마스터플랜 발표

2008-07-25 PC사랑

하이닉스반도체, 중장기 마스터플랜 발표

하이닉스반도체(www.hynix.charislaurencreative.com 대표이사: 김종갑)가 ‘양적 및 질적 균형성장’을 표방하면서 제 2창업 비전을 달성하기 위한 중장기 마스터플랜을 발표했다. 7월 25일(水) 진행된 ‘Global Top 실현 로드맵’ 공유 워크숍에서 김종갑 사장은 “하이닉스는 수율과 생산성 향상, 조기 양산체제 구축 등 주로 양적인 성장을 통해 세계 5위 반도체 회사로 도약하고 있다. 그 동안 재무적 어려움으로 미래를 위한 준비가 다소 부족했으나, 이제는 연구개발, 신규사업 진출 등을 위한 과감한 투자를 통해 고부가가치를 지향하는 질적인 성장세를 더함으로써 본격적인 성장모드로 전환할 것”임을 다짐하였다. 이로써 하이닉스는 10년 후인 2017년에는 양과 질적인 면에서 모두 세계 최고가 된다는 로드맵을 제시하고 있다.

하이닉스는 최고주의를 바탕으로 연평균 20% 이상의 성장을 목표로 삼고 3년/5년/10년간의 경영목표를 수립하였다. 우선 2010년까지 매출 180억불을 달성해 세계 반도체 업계 3위에 진입하고, 2012년에는 D램과 낸드플래시, P램의 시장점유율을 각각 30%로 끌어올려 매출 250억불을 달성한다는 계획이다. 또한 10년 후인 2017년에는 명실상부한 세계 최고의 반도체 전문회사로 도약한다는 목표이다.

고부가가치 산업 창출을 위해 하이닉스는 3년간 미래기술을 준비한 뒤, 5년 뒤인 2012년까지 본격적으로 신규 사업을 육성할 계획으로, 우선 2009년까지 P램 시장진입에 박차를 가할 것이며, 차세대 메모리와 비메모리를 포함해 2017년에는 매출의 30% 이상을 D램과 낸드플래시 이외의 사업이 차지할 것이라고 밝혔다.

이와 같은 중장기 비전을 실현하기 위한 5대 핵심 발전전략도 제시하였다.

첫째, 성장 동력 확보를 위해 2012년까지 300mm 팹을 건설하는 일은 계속 된다. 하이닉스는 현재 40%인 300mm 팹 비율을 2012년까지 90% 이상으로 끌어 올릴 예정이다. 경쟁력이 한계에 도달한 200mm팹은 단계적으로 300mm로 전환하거나, 부가가치가 높은 신규 사업을 위해 활용된다.

둘째, 하이닉스는 2012년까지 ‘Global R&D No.1’이 되기 위해, R&D 분야의 투자금액을 매출의 10%까지 획기적으로 높일 예정이다. 더불어 현재 2,000명 수준의 연구인력을 5,000명 수준으로 확대할 계획이다.

셋째, 우수인재 유치를 위해 ‘하이닉스 반도체학과’와 같은 맞춤형 산학협력을 확대하고, 국내외 우수 인력에 대한 확보에도 적극적으로 나설 계획이다. 또한 평생교육 프로그램을 통해 임직원의 역량을 세계 최고 수준으로 높이는 계획도 추진된다.

넷째, 국내외 반도체 관련 업계와의 제휴도 강화할 예정이다. 300mm FAB 건설에 투입되는 막대한 투자부담과 공정기술 미세화에 따른 개발 리스크를 최소화하며, 미래기술을 선점하기 위해 공동개발, 합작회사, 크로스 라이센스, 자본참여 등 다양한 방법의 전략적 제휴를 고려하고 있다.

다섯째, 지속가능 발전 인프라를 구축하기 위해 친환경 경영, 윤리경영 강화, 공정거래 자율준수 활동 등을 중점적으로 추진한다.

하이닉스반도체는 10년 후인 2017년에는 주주와 고객, 사원, 국민 모두가 만족하는 최고수준의 기업가치를 가진 회사로 도약할 것임을 밝히면서, 주주배당과 같은 주주에 대한 보상책도 검토할 계획이라고 덧붙였다. 더 나아가 경제·사회·환경 부문에 공헌하는 존경 받는 기업으로 자리매김하여 한국식 자본주의의 새로운 모델이 될 뿐 아니라, 세계 최고 수준의 Global Public Company로 성장하겠다는 각오를 다졌다.