페어차일드 반도체, 고효율 N-채널 MOSFET 시리즈 출시

2008-08-21     PC사랑
페어차일드 반도체, 고효율 N-채널 MOSFET 시리즈 출시
페어차일드 반도체는 최대 8kV ESD (HBM) 전압 보호를 제공하는 고효율 N-채널 MOSFET의 새로운 시리즈를 출시했다. 이 제품의 시리즈는 시장에서 선보이는 기존 디바이스 대비 최대 90% 향상된 성능을 제공한다. FDS881XNZ 시리즈는 노트북 및 휴대 전화처럼 배터리 팩 보호 애플리케이션에 적합한 가장 최신 아키텍처를 지원한다. 페어차일드의 파워 트렌치 (Power Trench) 공정을 이용한, 낮은 RDS(ON) MOSFET (5mOhms 미만의 RDS(ON) FDS8812NZ)) 제품들은 전도 손실을 감소시키고 귀중한 배터리 수명을 연장시킨다. 이 제품들은 강력한 애벌런치 및 하이 피크 전류 성능을 지원해 배터리 팩에 손상을 줄 수 있는 예기치 못한 전압 스파이크를 견뎌냄으로써 시스템 안전을 보장한다.

FDS881XNZ 시리즈는 배터리의 전력 관리 및 부하 스위칭 요구조건에 따라 선택할 수 있는 다양한 옵션을 설계 엔지니어에게 제공한다. FDS8812NZ (RDS(ON) = 4 mOhm)는 고기능 노트북을 겨냥하며, 설계 엔지니어들이 노트북 컴퓨터에 높은 수준의 기능을 통합할 때 직면할 수 있는 열 관련 문제를 해결한다. FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mOhm)는 15” 이상의 디스플레이의 특징을 갖춘 올-인-원 노트북에 매우 적합한 반면, FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mOhm)는 저가형에서 중간층 모델뿐 만 아니라 서브-노트북 PC에서도 일반적으로 사용하는데 이상적이다.

FDS881XNZ 시리즈의 주요 장점은 다음과 같다:

 낮은 RDS(ON) 솔루션은 더욱 높은 동작 효율성을 제공하며 따라서 배터리의 수명을 연장시킨다.

 통합형 ESD 보호 다이오드 (HBM)는 8kV ESD 보호를 제공한다.

 강력한 애벌런치 및 하이 피크 전류 성능은 예기치 못한 전압 스파이크를 견뎌내며 출력 단에서 예기치 못한 전압을 피한다.

업계 표준형 SO8패키지로 제공되는FDS881XNZ 시리즈의 N-채널 MOSFET은 페어차일드의 포괄적인 배터리 MOSFET 포트폴리오에 추가되었다. 페어차일드가 제공하는N- 및 P-채널 MOSFET의 포괄적인 라인에 대한 상세 정보는 www.fairchildsemi.com/battery_mosfets에서 알 수 있다.

FDS881x 시리즈 제품들은 무연 (Pb-free) 터미널을 사용하며 조인트 IPC/JEDEC 표준 J-STD-020의 무연 리플로우 요구조건을 준수하면서 습도 감도를 위해 특성화되었다. 모든 페어차일드 제품들은 유럽의 특정유해물질 사용제한지침(RoHS)의 요구조건을 준수하도록 설계되었다.