하이닉스반도체, 제조공정 줄인 44나노 DDR3 D램 개발

전 세계 경제 불황이 반복되는 상황에서 하이닉스반도체가 44나노미터 공정 기술을 적용한 1기가비트 DDR3 D램을 개발해 화제다. 44나노미터 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노미터 제품에 대비해 약 50% 이상 생산성이 뛰어나다.

‘3차원 트랜지스터 기술’로 누설 전류를 제어해 전력 소비량은 줄이고 작동 속도는 높였다. 최대 속도는 초당 2133Mb의 데이터를 주고받으며 전압 설정이 유리하다.

하이닉스반도체 관계자에 따르면 본격적인 제품 양산은 올해 3분기에 시작되며 2010년부터는 갖가지 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산할 예정이라고 전했다. DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램도 확대 적용될 것으로 보인다.

하이닉스반도체는 세계 최초로 40나노미터급 DDR3 제품을 개발해내며 업계 최고 수준의 기술력을 재차 확인했다. 앞으로 수요가 증가할 것으로 기대되는 DDR3 시장에서 경쟁사보다 앞선 공정기술을 지닌 하이닉스반도체가 얼마나 뛰어난 활약을 보일지 기대해보자.


문의 하이닉스반도체 www.hynix.charislaurencreative.com