[smartPC사랑=이철호 기자] SK하이닉스가 해외 뉴스룸을 통해 현재 개발 중인 DDR5 메모리 정보를 일부 공개했다. 이 정보에 따르면 DDR5 메모리는 DDR4-3200 메모리보다 2배 이상 빠를 뿐만 아니라 안정성도 대폭 향상되었으며, 전력 소모도 줄어들었다.
SK하이닉스가 개발 중인 DDR5 메모리는 DDR4에 비해 2배 이상의 대역폭을 제공할 수 있다. 2013년 RAM이 DDR3에서 DDR4로 진화하면서 DIMM(Dual In-Line Memory Module)당 대역폭이 1600Mbps에서 2133Mbps로 33% 증가했는데, DDR5는 이보다 50% 이상 증가한 4800Mbps 이상의 대역폭을 목표로 삼고 있다. SK하이닉스가 공개한 DDR5 메모리의 대역폭은 최소 3200Mbps, 최대 8400Mbps에 달한다.
이러한 대역폭을 실현하려면 동일한 시간 단위 내에서 처리되는 데이터의 양을 2배로 늘려야 한다. DDR5 메모리는 이를 위해 먼저 8뱅크 그룹에 기반하는 32뱅크 구조를 채택해 16뱅크 구조를 채택한 DDR4보다 뱅크 수가 2배 많다. 뱅크는 하나의 채널 안에서 하나 또는 그 이상의 메모리의 논리적 묶음을 말하는데, 이러한 뱅크 규모가 확장되면서 메모리 대역폭을 2배 이상 늘릴 수 있게 됐다.
또한, DDR5 메모리의 BL(Burst Length, DRAM의 단일 읽기/쓰기 명령을 기반으로 입력/출력되는 데이터 양)이 8에서 16으로 2배 늘었으며, 세임 뱅크 리프레시(Same Bank Refresh) 기능을 통해 특정 뱅크가 작동 중일 때 시스템이 다른 뱅크에 접속할 수 있게 하여 메모리 엑세스 가용성을 향상시켰다. DFE 회로로 채널의 고속 작동에서의 반사 노이즈(Reflective Noise)를 줄인 것도 특징이다.
전력 효율도 좋아졌다. DDR4의 1.2V보다 낮은 1.1V의 작동 전압을 지닌 DDR5 메모리는 대역폭당 전력 소비량이 이전 모델보다 20% 이상 줄어들었다. 또한, DDR5에서 최초로 채택된 ECC(On-die error Correction Code)는 내부저긍로 단일 비트 오류를 수정해주며, DRAM 결함을 기록하고 오류 수를 호스트에 제공해 투명성과 신뢰성을 높여주는 ECS(Error Check and Scrub)도 적용됐다.
이렇게 성능과 안정성, 전력 효율이 대폭 향상된 DDR5 메모리는 4차 산업혁명을 주도하고 있는 빅데이터, 인공지능(AI), 머신 러닝 등 기술에서 생성된 집약적인 데이터를 더욱 효율적으로 처리하는 데에 도움을 줄 것으로 기대된다. IDC는 올해부터 DDR5 메모리 수요가 증가해 내년 전체 D램 시장의 22%, 2022년 시장의 43%를 차지할 것으로 예상했다.
SK하이닉스는 올해 DDR5 메모리 칩 양산을 시작할 방침이며, 10nm급 16Gb DDR5 메모리를 시작으로 초고속 대용량 메모리 고객 수요에 적극 대응해 시장을 선도할 계획이다.
류성수 SK하이닉스 D램 제품기획본부장은 "5G, 자율주행차, AI, VR/AR, 빅데이터, 기타 애플리케이션으로 대표되는 4차 산업혁명에서 DDR5 메모리는 차세대 고성능 컴퓨팅(HPC)과 AI 기반 데이터 분석에 활용될 수 있다"며 "또한, 클라우드 서비스 고객의 요구를 충족시키기 위해 16Gb, 24Gb의 단일 다이를 기반으로 한 보다 광범위한 밀도를 제공할 것"이라고 말했다.
그는 이와 함께 "DDR5 메모리는 전작에 비해 높은 밀도와 성능 확장성을 지원함으로써 빅데이터와 AI 시대를 선도할 확고한 발판을 마련했다"며 "이를 통해 SK하이닉스는 프리미엄 서버 시장에서 경쟁력을 확보하는 동시에 고객들에게 뛰어난 메모리 솔루션을 제공할 것"이라고 전했다.