램트론, 업계 최초 4Mb 비휘발성 FRAM 메모리 출시
2008-03-29 PC사랑
| 램트론, 업계 최초 4Mb 비휘발성 FRAM 메모리 출시 |
비휘발성 FRAM 및 집적 반도체 제품 분야의 선도기업인 램트론(Ramtron International, 지사장 이희준, www.ramtron.com)이 반도체 업계 최초로 4Mb FRAM 메모리(제품명: FM22L16)를 개발했다고 밝혔다. 이번에 개발된 제품은 메모리 용량이 기존 FRAM 제품의 4배에 달해 최고 집적도를 자랑한다. FM22L16은 고속 액세스, 거의 무제한적인 R/W 사이클 및 저전력 소모 등의 특징을 지닌 4Mb 3V 병렬 비휘발성 RAM으로, 44핀 TSOP(thin small outline plastic) 패키지로 제공된다. 비동기 SRAM과 핀 호환이 가능한 FM22L16은 로봇공학, 네트워크 및 데이터 스토리지 애플리케이션, 다기능 프린터, 자동차 네비게이션 시스템 및 다양한 SRAM 기반 시스템 설계 등 산업 제어 시스템에 사용된다. 램트론의 마이크 올웨이스(Mike Alwais) 부사장은 “이번에 개발된 4Mb FRAM 신제품은 램트론과 FRAM을 새롭고 혁신적인 애플리케이션으로 이끄는 신규 기술 터전을 마련했다. FM22L16은 수많은 새로운 독립형 및 통합 제품에 기회를 제공하는 TI의 주류 및 검증된 공정 노드에 FRAM 기술을 접목한 셈이다. 이번 4Mb FRAM 출시로 FRAM은 메모리 환경을 바꿀 수 있을 만큼의 잠재력을 갖춘 이상적인 비휘발성 메모리 솔루션으로 자리매김할 것”이라고 말했다. 제품 특징 FM22L16은 256K x 16 비휘발성 메모리로 구성되며, 산업 표준 병렬 인터페이스로 액세스 가능하다. 액세스 타임은 55ns이며, 사이클 타임은 110ns이다. FM22L16은 NoDelay™ 기록용 버스 속도로 R/W를 하며, 최소 100조 번의 기록이 가능하고 10년간 데이터를 유지한다. 램트론의 4Mb FRAM은 표준 비동기 SRAM을 드롭인(drop-in) 방식으로 대체할 수 있는 것은 물론, 데이터 백업용 배터리가 필요 없고, 모놀리식 형태이기 때문에 신뢰성이 더욱 높아 SRAM보다 훨씬 뛰어나다. FM22L16은 진정한 표면 실장형 솔루션으로 배터리 장착을 위한 재작업 단계가 필요 없으며, SRAM 과 달리 습기, 충격 및 진동에 매우 강하다. 최신 고성능 마이크로프로세서와의 인터페이스가 편리한 FM22L16은 고속 페이지 모드가 특징으로, 4byte 버스트 R/W 작업을 최대 40MHz로 할 수 있으며, 버스 속도가 재래식 RAM보다 월등히 빠르다. FM22L16은 슬립모드 시 최저전류 5μA, R/W에는 18mA의 전류를 소모하므로 일반 SRAM보다 동작 전류가 낮은 것이 장점이다. FM22L16은 산업 온도범위(-40°C ~ +85°C)에서 동작할 수 있으며, 동작 전압은 2.7V ~ 3.6V이다. 자세한 제품 정보는 //www.ramtron.com/4MbFRAM/Default.asp 참조. TI의 FRAM용 최첨단 130 나노공정 FM22L16은 TI의 검증된 최첨단 130 나노 CMOS 제조공정을 이용한다. 마스크 공정에 두 단계만 추가하여 일반 CMOS 130 나노 로직 공정으로도 비휘발성 FRAM 모듈을 제작할 수 있다. TI와 램트론은 이와 관련해 구체적인 양산 계약을 마무리 지었다. 램트론 FRAM 제품에 적용되는 TI 130나노공정에 대한 자세한 내용은 별도 보도자료 참조. 가격 및 구입 현재 FM22L16의 엔지니어링 샘플을 공급 중이다. 회사측은 올해 3/4분기까지는 우선 한정된 수량만을 공급하고, 4/4분기에 본격적인 양산에 착수할 계획이다. FM22L16 은 RoHS를 준수하는 44핀 TSOP-II 패키지로 공급된다. 가격은 개당 19달러(1만개 기준)이다. |